研发中心建设项目拟引进高素质的射频芯片人才、半导体材料设计人才，以及高精尖的测试仪器设施、材料失效分析设备和材料制备设备，建成一个集研究、设计、开发和检测等为一体的技术创新中心，开展前瞻性研究、技术积累以及知识产权保护等工作。

  本项目将基于公司射频前端芯片业务，围绕“下一代高速无线通信射频前端研发及产业化”方向，以及“射频前端芯片的新材料、新架构研发及产业化”等技术前沿方向开展研究，持续提升公司的研发实力，保持公司技术先进性，促进公司可持续发展。基于行业技术发展的新趋势、下游未来市场发展的潜力和公司的主营业务和未来战略发展规划，本项目具体研发内容如下所示：

  基于市场对高频率、高速率及大带宽的通信技术需求，本项目拟对 WiFi6e、Wi-Fi7 和 5G 毫米波通信的收发模组进行设计开发，具体研发内容如下：

  Wi-Fi7 射频前端模组：针对 Wi-Fi7 通信协议开发符合协议的射频前端模组，通过新的电路设计，在满足新的频段要求下，支持 4096-QAM调制方式。

  5G FR2 毫米波通信模组：应用于 5G 毫米波通信的无线收发模组，涉及到的芯片模块有功率放大芯片、滤波芯片、开关切换芯片、低噪声放大器芯片和变频芯片等，负责对毫米波频段的信号进行收发、切换、过滤和变频等处理。

  基于化合物半导体衬底的新材料研究：化合物半导体材料是射频功率器件的常用衬底材料，衬底的外延掺杂结构与射频性能有较高相关性。本项目的目标是为未来高性能射频芯片做外延结构的研究，以适用未来的高功率、高线性、高效率的射频器件。

  应用于移动终端的低电压氮化镓功率放大器：氮化镓属于第三代半导体材料，在移动通信领域内具有广泛应用，具有高功率、高频率的优异特性。但是由于工作电压较高、开启阈值电压较高等问题，氮化镓 PA 目前仅在大功率基站领域内得到商业化应用，尚未在移动终端市场实现商业化应用。本项目的研究目标系实现氮化镓晶体管的低压特性，以实现基于氮化镓的 PA 在移动终端的应用。

  小型化Doherty 射频功率放大器模组研究：Doherty 功率放大器架构是基站功率放大器常用的一种架构，具备较高的回退区工作效率，但是由于其通常具有较大的尺寸，一般较应用于手机终端中。进入 5G 时代后，功率放大器常常要工作在深回退区以保证较高的线性度，进而维持较高数据吞吐量。目前手机平台方案通常通过包络追踪技术解决以上问题，但存在消耗功率高等问题。Doherty架构对于解决该等问题具有一定优势。因此本项目为实现 Doherty 架构在手机 PA 中的小型化应用，通过创新的移相网络设计和功率合成技术，将Doherty 架构的优势引入到手机终端中应用。

  无线通信行业具有技术迭代快的特点。射频前端系无线连接的核心所在，无线通信制式变革的加速，致使射频前端行业内企业的研发任务愈发艰巨，行业内企业要不断进行技术积累，对未来的新技术、新工艺、新材料、新应用做前瞻性的探索和研究，方能更加快速地响应下游客户的真实需求，抢占市场先机。

  对于公司而言，在过去一段时间的研发积累和行业应用实践过程中，公司已构建一套具有自主知识产权的核心技术体系，但在通信技术加快速度进行发展及行业竞争日趋激烈的背景下，公司仍然有必要基于市场需求变化及行业的技术发展趋势积极开展前沿研发技术工作，提前进行技术储备，保持技术先进性。

  从市场竞争格局来看，当前我国射频前端企业在产品性能、品牌知名度以及核心技术积累等方面与国际巨头相比任旧存在一定差距，全球射频前端市场基本被美日等国外厂商垄断；根据 Yole Development 数据，2020 年射频前端市场全球前五大厂商 Skyworks（思佳讯）、Qorvo（科沃）、Broadcom（博通）、Qualcomm（高通）、Murata（村田）合计市场占有率合计为 84%。

  十三五以来，我国明确了“集成电路”的国家战略性新兴起的产业地位，鼓励自主芯片研发企业未来的发展。在此背景下，公司拟通过本项目布局射频前端领域前沿性研发技术，在Wi-Fi6e/7、5G 毫米波、化合物半导体的衬底材料、第三代半导体材料、小型化Doherty 架构等国际前沿技术领域实现技术突破，研制具备自主知识产权和重大应用前景的射频前端新产品，提升公司产品的国际竞争力，促进公司品牌影响力提升。

  射频前端芯片行业技术门槛较高，高端技术人才是行业内容企业保持创造新兴事物的能力、实现可持续发展的重要保障。相较于国际射频前端巨头，公司无论从研发人员数量还是研发费用投入差距还非常大，为更好实现产品技术的创新，有必要进一步加大研发投入力度，增加研发人员数量及薪酬。

  此外，公司将通过本项目的实施，引进负载阻抗自动调谐器、毫米波信号发生器、毫米波频谱分析仪、100GHz 网络分析仪、Litepoint 测试仪、NI 测试平台等一批先进的研发设备和 Cadence、Advanced Design System 等设计软件，为高端技术人才从事研发工作提供一个更好的软硬件环境，从而吸引更多高素质技术人才。

  公司自成立以来一直专注于射频前端芯片的设计研发，具有深厚的技术积累。目前，公司已先后攻破多项射频前端核心技术，掌握了 PA、LNA、开关、滤波器等射频前端器件及 L-PAMiD、L-FEM 等射频前端模组的核心设计工艺。同时，公司紧随行业技术发展的新趋势，积极进行前瞻性研发技术布局，将为本项目研发课题的顺利实施奠定良好的基础。

  集成电路设计行业具有技术性强、科技含量高的特点，研发技术人才是行业内公司实现研发技术创新的重要智力保障。公司为研发人员营造了良好的研发环境，并逐步的提升研发人员待遇以充分调动研发人员积极性，保证公司的研发创新工作得以持续稳定开展。通过公司持续的人才引进和培养，公司已形成一支涵盖多个专业领域的人才队伍；截至 2022 年 3 月 31 日，公司共拥有研发技术人员 157 人，占公司总人数比例达 53.58%。

  “研发中心建设项目”已经取得深圳市南山区发展和改革局出具的深圳市社会投资项目备案证，备案编号：深南山发改备案（2021）0598 号，项目统一编码-04-01-344047。根据《建设项目环境影响评价分类管理名录（2021 版）》，本建设项目不纳入建设项目环境影响评价管理，无需办理环境评价相关批复及备案手续。

  本项目拟于深圳租赁 2,400.00 平方米的场地，满足项目研发及办公需要。本项目不涉及土建工程。本项目不会产生工业废水、废气、废渣与噪声等，不会对环境产生污染。

  公司自成立以来始终专注于射频前端芯片的设计研发，通过持续的产品技术升级和研发工作，形成了深厚的技术积累，可为新项目提供技术及经验支持。在发展过程中，公司亦形成了以市场需求为导向的研发理念和健全的研发管理体制，为公司研发创新活动的持续稳定开展奠定了坚实的制度基础。

  此外，通过一系列人才引进与培养制度，企业具有一支涵盖研发设计、产线支持及质量保障等多个专业领域的人才队伍，为本项目的顺利实施提供了充足的人才储备。本项目将围绕 Wi-Fi-6E/7、5G 毫米波组件、半导体外延材料、第三代半导体器件以及小型化 Doherty 架构等技术前沿方向开展研究，促进公司整体研发实力提升，保持公司技术先进性；同时，项目的实施将进一步丰富公司产品品类，拓宽公司产品下游应用领域，为公司创造新的增值空间，有利于促进公司主要营业业务的发展。

  完整版可行性研究报告依据国家部门及地方政府相关法律、法规、标准，本着客观、求实、科学、公正的原则，在现有能够掌握的资料和数据的基础上，主要就项目建设背景、需求分析及必要性、可行性、建设规模及内容、建设条件及方案、项目投资及资产金额来源、社会效益、经济效益以及项目建设的环境保护等方面逐一进行研究论证，以确定项目经济上的合理性、技术上的可行性，为项目投资主体和主管部门提供决策参考。

  此报告为摘录公开部分。定制化编制政府立项审批备案、国资委备案、银行贷款、产业基金融资、内部董事会投资决策等用途可研报告可咨询思瀚产业研究院。返回搜狐，查看更加多